產(chǎn)品分類
Product Category半體曝光設(shè)備的應(yīng)用
半導(dǎo)體曝光裝置用于包含MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)、FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等半導(dǎo)體元件的IC(集成電路)的制造工序中的曝光工序。
在IC制造過程中,在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán),并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過程中,半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此,它已經(jīng) .例如,在n型MOS(NMOS)的情況下,在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬,并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型(n+型)MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1~抗蝕劑剝離工序S6)。
其中,曝光工序(S3)使用半導(dǎo)體曝光裝置來進(jìn)行。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導(dǎo)體元件的 ,使用不同的 。
關(guān)于EUV曝光設(shè)備
EUV(Extreme Ultraviolet的縮寫)曝光設(shè)備是一種使用被稱為極紫外光的極短波長(zhǎng)光的半導(dǎo)體曝光設(shè)備??梢约庸な褂肁rF準(zhǔn)分子激光的傳統(tǒng)曝光設(shè)備難以加工的 細(xì)尺寸。
半導(dǎo)體小型化正在按照摩爾定律進(jìn)行(半導(dǎo)體集成電路的高度集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍)。到目前為止,通過稱為步進(jìn)器的縮小投影曝光技術(shù)、更短的曝光波長(zhǎng)和浸沒式曝光技術(shù)的開發(fā),分辨率已得到顯著提高。
小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小,最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。
R=k·λ/NA *k為比例常數(shù),λ為曝光波長(zhǎng),NA為曝光光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑
通過各種技術(shù)的發(fā)展,通過減小k、減小λ和增大NA來實(shí)現(xiàn)小型化。
EUV曝光設(shè)備被認(rèn)為是一種可以通過縮短曝光波長(zhǎng)來克服以往限制的技術(shù),近年來已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
半導(dǎo)體光刻設(shè)備目前對(duì)于半導(dǎo)體的高效量產(chǎn)來說是 的,但據(jù)稱它是 的機(jī)器,而且價(jià)格昂貴。
半導(dǎo)體曝光設(shè)備中使用的光源的波長(zhǎng)越短,可以形成的圖案 并且曝光設(shè)備變得越昂貴。據(jù)稱每個(gè)波長(zhǎng)的成本為i-line約4億日元、KrF約13億日元、ArF干式約20億日元、ArF浸沒式約60億日元、EUV約200億日元。
電路越小,可以實(shí)現(xiàn)越快的信號(hào)傳輸和節(jié)能,但近年來,由于小型化,無法忽視工藝成本的增加,包括半導(dǎo)體曝光設(shè)備的價(jià)格。
就半導(dǎo)體光刻設(shè)備所需的性能而言,從半導(dǎo)體制造的成本角度來看,半導(dǎo)體光刻設(shè)備的吞吐量也是一個(gè)重要指標(biāo)。吞吐量是表示電路圖案曝光速度的性能,隨著吞吐量的增加,每個(gè)硅芯片的制造成本 降低。這在半導(dǎo)體芯片的大規(guī)模生產(chǎn)過程中非常重要。
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